一种1.8ppm/℃曲率补偿BiCMOS带隙基准源  

A Curvature Compensated BiCMOS Bandgap Reference with 1.8-ppm/℃

作　　者：郑儒富[1] 张波[1] 俞永康[1] 杨永豪[1] 陆小飞[1] 

机构地区：[1]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054

出　　处：《微电子学》2006年第6期778-781,共4页Microelectronics

摘　　要：介绍了一种基于BiCMOS工艺的新型温度补偿技术。该技术充分利用了PN结反向饱和电流是温度敏感函数的特性，使用简单的电路结构，达到了很好的温度特性和电源抑制性能。该电路结构产生的带隙基准电压在-40～125℃范围内使用HSPICE进行仿真，得到的温度系数仅有1．8ppm／℃。A novel temperature compensation technology based on BiCMOS process is presented. The sensitive temperature characteristics of PN junction inverse saturation current is fully utilized to obtain good temperature coefficient and PSRR with simple circuit structure. HSPICE simulation shows that the temperature coefficient of the bandgap voltage reference is only 1.8 ppm/℃ over the temperature range from -40 ℃ to 125 ℃.

关 键 词：BICMOS 温度补偿 带隙基准电压 温度系数 

分 类 号：TN433[电子电信—微电子学与固体电子学]