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机构地区:[1]清华大学化学系,北京100084 [2]不详
出 处:《中国学术期刊文摘》2006年第24期2-2,共1页Chinese Science Abstracts(Chinese Edition)
摘 要:在综述Pb(Zr,Ti)O3(PZT)基反铁电材料的研制号眭能研究进展的基础上,重点探讨了PZT95/5反铁电材料和在PZT基础上掺杂改性的Pb(Zr,Sn,Ti)01(PZST),(Pb,La)(Zr,Sn,Ti)O3(PLZST)反铁电材料.总结了利用La^3+、Nb^4+、Hf^4+、Sr^2+、Ba^2+和Nd^3+等离予对富锆P2T以及PZST粉体、陶瓷以及薄膜材料的掺杂取代改性研究.讨论了各类PZT基反铁电材料的铁电(FE)-反铁电(AFE)相变机理以及其场致应变性能.展望了PZT基反铁电材料今后研究与应用的发展方向.
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