电子束辐照对聚酰亚胺电气性能的影响  

Influence of Electron Beam Radiation on Electrical Parameter of Polyimide

作　　者：刘晓东[1] 张要强[1] 马丽婵[1] 郑晓泉[1] 

机构地区：[1]西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安710049

出　　处：《绝缘材料》2006年第6期38-41,共4页Insulating Materials

摘　　要：研究了高能电子束辐照对聚酰亚胺薄膜(PI)试样电气性能的影响。实验发现高能电子束辐照后PI的介电常数减小,电导率增大,电损耗增大。利用原位聚合法把70纳米Al2O3粒子引入到PI薄膜中,对材料进行改性,实验发现改性后PI薄膜抗高能电子束辐射能力得到加强。The effect of high-energy electron beam radiation to electrical parameters of polyimide （PI） was studied. The results is that after radiated by high-energy electron beam, the permittivity of PI decreases, while conductivity and dielectric loss increase. After using 70 nm Al2O3 modified PI film with in-site polymerization method,the anti-radiation capability of the modified PI film increases remarkably.

关 键 词：聚酰亚胺 纳米改性 电子辐射 介电性能 

分 类 号：TM215.1[一般工业技术—材料科学与工程] TQ323.7[电气工程—电工理论与新技术]