金属/有机半导体界面偶极层的研究  

Study of metal/organic semiconductor interfacial dipole layer

作　　者：潘艳芝[1] 李宏建[1] 周伟昌[1] 戴小玉[1] 

机构地区：[1]湖南大学应用物理系,长沙410082

出　　处：《原子与分子物理学报》2006年第6期1061-1064,共4页Journal of Atomic and Molecular Physics

基　　金：湖南省杰出青年科学基金(03JJY1008);中国博士后科学基金(2004035083)

摘　　要：利用金属/无机半导体界面模型对金属/有机半导体界面偶极层进行了数值研究.讨论了界面处金属/有机半导体原子间距与化学键密度对界面偶极能的影响;分析了界面层电场强度随化学键密度变化的原因;对界面偶极能与金属功函数之间的关系给出了合理的解释.Based on the metal/inorganic semiconductor interracial model, a numerical study on the metal/organic semiconductor interface is made. The effect of atomic distances and densities of chemical bond on the interfacial dipole potential are discussed. The reasons of field intensity versus with atomic distances and densities of chemical bond are analyzed. The relation between interfacial dipole potential and work function is linear, a reasonable explain to the relation is given.

关 键 词：金属/有机半导体界面 偶极能 功函数 

分 类 号：TN873.3[电子电信—信息与通信工程]