第四代光存储技术——近场光存储  

出　　处：《电子材料与电子技术》2006年第4期42-42,共1页Electronic Material & Electronic Technology

摘　　要：固体浸没透镜（SIL：Solid Immersion Lens）近场光存储能够突破传统光学衍射极限的限制，是很有发展潜力的第四代光存储技术。日本Sony公司在近场光存储领域一直位于领先地位，已成功研发了采用双轴力矩器装卡SIL的近场光盘系统，可以达到存储容量为112GB（80．6Gb／in^2）、数据传输率为72Mbps，以及存储容量为m2GB（80．6Ch/in^2）、数据传输率为108Mbps的记录结果。

关 键 词：光存储技术 近场光存储 固体浸没透镜 光学衍射 

分 类 号：TP333.4[自动化与计算机技术—计算机系统结构]