极性半导体膜中的束缚极化子(英文)  

The Bound Polaron in a Polar Semiconductor Slab

作　　者：王秀清[1] 肖景林[1] 

机构地区：[1]内蒙古民族大学物理与机电学院,内蒙古通辽028043

出　　处：《发光学报》2006年第6期843-848,共6页Chinese Journal of Luminescence

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10347004)~~

摘　　要：采用线性组合算符法和幺正变换方法,研究极性晶体膜中束缚极化子的基态能量、自陷能随膜厚d的变化关系。得出束缚极化子的自陷能由两部分组成:第一部分是由于电子-体LO声子相互作用所引起的(Eetr-LO)极化子效应;第二部分则是电子-SO声子相互作用引起的。后者又包含两部分,分别是电子与极性膜中两支表面声子相互作用的贡献(Eetr-SO( +),Eetr-SO( -))。通过对KCl半导体膜的数值计算表明,Eetr-LO随膜厚d的增加而增加;但是Eetr-SO、极化子的振动频率以及电子-声子相互作用所产生的总自陷能Eetr-ph随膜厚d的增加而减少,当膜厚大于5 nm时,总自陷能Eetr-ph趋于一稳定值。另外,由于束缚势的存在,使极化子的振动频率增大,这主要是由于束缚势的存在,使电子-声子间的相互作用增强,极化子效应增大而引起的。Taking into account the interaction of an electron with bulk longitudinal-optical （LO） and surface longitudinal-optical （SO） phonons, we study the ground state energy and self-trapping energy of the bound polaron in a polar slab by using the Huybrecht＇s linear combination operator method. The ground state energy and the self-trapping energy are all derived as function of slab thickness. E^tr e-ph includes two parts, one is E^tr e-LO, the other is E^tre-SO, and E^tre-SO also includes two parts, E^tre-SO （ ＋ ） and E^tre-SO （ - ） ; taking KCI as an example, E^tre-LO increases with the increase of the slab thickness, but E^tre-SO ,E^tre-ph and A all reduce with the increase of the slab thickness, and when the slab thickness d is more than 5 nm, E^tre-ph is about to a stable number. Especially, vibration frequency （ A ） increases when there is the Coulomb potential, because of the interactions are strengthened between the electrons and phonons.

关 键 词：极性晶体膜 束缚极化子 线性组合算符 自陷能 

分 类 号：O469[理学—凝聚态物理] O472.3[理学—电子物理学]