制造高压整流管的新工艺  

作　　者：裴素华[1] 薛成山[1] 

机构地区：[1]山东师范大学

出　　处：《半导体技术》1996年第6期32-34,共3页Semiconductor Technology

摘　　要：利用开管扩散方式，将元素Ｇａ分为低浓度、高浓度两段掺杂，在Ｎ型Ｓｉ的衬底上形成Ｐ区和Ｐ＾＋区用于整流管芯片的制作，能较好地协调元件阻断特性与通态特性的矛盾。

关 键 词：开管 分段掺杂 整流管 制造工艺 晶闸管 

分 类 号：TN340.5[电子电信—物理电子学]