HgCdTe光伏器件反常I－V特性分析  

Analysis of Current-Voltage Characteristics of the HgCdTe Diodes with a Parasite p-n Junction

作　　者：曾戈虹[1] 孙娟[1] 严隆 

机构地区：[1]昆明物理研究所

出　　处：《红外技术》1996年第6期1-3,共3页Infrared Technology

摘　　要：对ＨｇＣｄＴｅ光伏器件研制中出现的光电二极管伏安特性反常现象提出了寄生ｐ－ｎ结模型，并以此模型为基点，结合工艺实验对此现象进行了解释和分析。A model is propose for analyzing the Current-Voltage characteristics of the HgCdTe diode with a parasite p-n junction. The true value of this model is fully confirmed with HgCdTe diodefabrication results.

关 键 词：光伏器件 寄生p-n结 伏安特性 

分 类 号：TN214[电子电信—物理电子学]