5英寸钽酸锂晶体生长工艺技术研究  

Study on ф5 inch LiTaO_3 Crystals Growth Process

作　　者：康平[1] 张振志[1] 周志强[1] 韦勇[1] 张寒贫[1] 杜小红[1] 陈建[1] 张庆海[1] 成肇安[1] 

机构地区：[1]国内贸易部物资再生利用研究所晶体材料部,徐州221006

出　　处：《人工晶体学报》2006年第6期1388-1391,共4页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：江苏省技术开发专题项目资金(BE2002518)

摘　　要：本文着重介绍了用铱坩埚提拉法生长5英寸钽酸锂(LT)晶体的工艺过程,该工艺使用超大尺寸铱坩埚生长LT晶体;设计了稳定并可调节纵向及径向温度梯度的温场;采用了大量程、高灵敏度的上称重技术;运用逆向模拟法的模拟体设计。这些技术的集成,是5英寸晶体生长成功的必要保证。This paper reported a new procedure for growth of φ5 inch diameter LT crystal in Ir-crucible by using Czochralski method. The key points in the tech-process are： large size It-crucible for heater, regulable temperature field by radial and lengthways, Up metage system with high-sensitive transducer, a converse simulacrum for diameter control.

关 键 词：φ5英寸钽酸锂 上称重 铱坩埚 

分 类 号：O78[理学—晶体学]