退火温度对CoCrPt/Ag纳米颗粒膜的影响  

Effect of Annealing Temperature on CoCrPt/Ag Nannogranular Films

作　　者：张罕玮[1] 高凤菊[1] 封顺珍 孙会元[1] 

机构地区：[1]河北师范大学物理科学与信息工程学院,河北石家庄050016

出　　处：《河北师范大学学报（自然科学版）》2006年第6期647-649,共3页Journal of Hebei Normal University：Natural Science

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10274018);河北省教育厅研究基金资助项目(2002116);河北师范大学重点学科资助项目(Z200102)

摘　　要：在室温下,应用磁控溅射法制备了CoCrPt(25 nm)/Ag(40 nm)纳米颗粒薄膜,随后进行了退火.CoCrPt靶和Ag靶分别采用射频溅射和直流对靶溅射模式.用振动样品磁强计(VSM)研究了Ag衬底层对CoCrPt磁特性的影响,发现650℃退火后的样品,矫顽力达到最大.扫描探针显微镜(SPM)观测显示颗粒的尺寸随退火温度的升高而增加;X射线衍射(XRD)图样表明,样品具有六角密积结构.CoCrPt/Ag granular films were prepared by magnetron sputtering at room temperature and then postannealing. CoCrPt and Ag use RF and DC facing targets deposition mode respectively. The effect of Ag underlayers on the microstructure and magnetic properties of CoCrPt was examined by vibrating sample magnetometer（VSM）. The Hc reaches maximum when the films annealed at 650℃ . Scanning probe microscope （SPM） shows CoCrPt particle size increases with increasing annealing temperature. X-ray diffraction （XRD） shows the majority Co nanograins are formed as hexagonal-close-packed structure.

关 键 词：颗粒膜 磁记录 磁控溅射 矫顽力 后退火 

分 类 号：O484.43[理学—固体物理] O484.5[理学—物理]