掺Nb^(5+)钨酸铅晶体的计算机模拟  

Computer simulation of Nb-doping PbWO_4 crystal

作　　者：陈腾[1] 刘廷禹[1] 张启仁[1] 田东升[1] 张秀彦[1] 

机构地区：[1]上海理工大学理学院,上海200093

出　　处：《上海理工大学学报》2006年第6期511-514,共4页Journal of University of Shanghai For Science and Technology

基　　金：上海市重点学科建设资助项目(T0501)

摘　　要：应用GULP计算软件模拟计算了掺Nb5+的PbWO4(PWO)晶体中,Nb5+可能存在的位置以及对应的各种缺陷的生成能.通过比较生成能的大小确定了Nb5+在PWO晶体中最可能的存在方式,并对其电荷补偿机制进行了分析.计算结果表明,在掺Nb5+∶PWO中,Nb5+首先占据邻近缺氧的W6+位,但不可能由F心或F+心来作为补偿,其电荷补偿形式应为[NbO3+VO]+—[NbO4]-,改变了在晶体中与350 nm吸收带有关的氧空位V2O+的电荷补偿机制,从而抑制了350nm吸收.The positions of the impurity Nb ions in crystal are simulated by computer technology. The corresponding various kinds of defects in the Nb^5 ＋ ： PWO are calculated. Comparing the calculated results, the optimal positions of the Nb^5＋ ion in the Nb：PWO and the charge compensating mechanism [NbO3 ＋ Vo] ＋-[NbO4]- are obtained, this charge compensating mechanism changes the compensating form of O vacancy which relates to 350 nm absorption band, so then the 350 nm absorption band is suppressed.

关 键 词：PBWO4晶体 掺杂 缺陷模型 计算机模拟 GULP 

分 类 号：O482[理学—固体物理]