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机构地区:[1]杭州电子科技大学CAD所,浙江杭州310018
出 处:《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》2006年第5期9-12,共4页Journal of Hangzhou Dianzi University:Natural Sciences
基 金:浙江省重大国际合作项目(2004C14004);浙江省重大科技计划项目(2004C21044)
摘 要:该文给出了一个适用于CDMA2000系统的射频功率放大器单片集成电路的实现。放大器采用了具有高线性度、高增益和高效率的砷化镓异质结双极型晶体管,包括驱动级和功率级两级。为了同时实现CDMA2000系统所要求的最大输出功率时的良好线性度和改善中等输出功率时的效率,使功率放大器工作在近乙类,并采用了自适应性无源基极电阻偏置技术来抑制由于近乙类工作造成的增益失真。考虑了寄生效应的后仿真结果表明,该功率放大器在1 850MHz,码片速率为1.228 8Mcps的混合移相键控调制信号的激励下,在CDMA2000系统要求的最大输出功率28dBm处PAE达到44.8%,增益为27.4dB,偏离中心频率1.25MHz处的ACPR为-47.9dBc。In this paper, a simulative power amplifier MMIC for CDMA2000 cellular phone systems is developed. Power amplifiers for CDMA2000 systems are required to operate at high efficiency and high linearity over a wide range of output power levels. To obtain high efficiency at low output power and obtain a high linearity at the maxi- mum out power, near- class- B operation is chosen and the gain distortion resulting from near - class - B operation is suppressed by using an adaptive biasing technique. Post simulation shows the PA exhibited a power- added efficiency of 44.8%, a gain of 27.4 dB, and an adjacent channel leakage power ratio at a 1.25 - MHz offset frequency of - 47.9 dBc at a out of 28 dBm with 1,228 8 - Mcps HPSK modulation.
分 类 号:TN431.1[电子电信—微电子学与固体电子学]
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