实践四号卫星在轨SEL现象与地面模拟试验的对比分析  

作　　者：蔡震波[1] 吴中祥[1] 

机构地区：[1]北京空间飞行器总体设计部

出　　处：《航天器工程》1996年第3期35-39,共5页Spacecraft Engineering

摘　　要：本文将地面锎源模拟试验的结果,与实践四号卫星单粒子效应动态监测仪在轨所测得的SEL现象从各方面进行对比分析,为该在轨现象发生原因的判断进行了试验验证。

关 键 词：单粒子闩锁 CMOS 抗辐射 卫星电子系统 

分 类 号：V443[航空宇航科学与技术—飞行器设计]