电子束抗蚀剂反差的计算  

The calculation of contrast in electron beam resist

作　　者：郝慧娟[1] 张玉林[1] 宋会英[1] 

机构地区：[1]山东大学控制科学与工程学院电子束研究所,山东济南250061

出　　处：《山东大学学报（工学版）》2006年第6期121-124,共4页Journal of Shandong University（Engineering Science）

基　　金：国家自然科学基金重大研究计划资助项目(90307003);山东省自然科学基金资助项目(Y2003G03);山东省科技攻关计划基金资助项目(022090105)

摘　　要：为了更精确地确定电子束抗蚀剂的反差,借助优化的电子散射模型,利用改进的Monte Carlo算法模拟了电子束在固体中的散射过程,得到了不同曝光条件下抗蚀剂中的能量沉积分布,再结合电子的空间分布密度函数,根据反差的定义,提出了一种计算电子束抗蚀剂反差的简单模型,计算结果与实验结果基本一致.对不同曝光条件的反差计算显示,随着电子初始能量的增加,反差值减小,随着抗蚀剂厚度的增加,反差值增大.In order to determine the contrast of electron beam resist more precisely, the electron beam scattering in solid is simulated with the optimized model of electron beam scattering and modified Monte Carlo algorithm to obtain the energy deposition of different exposure in resist. Then combined with the distribution density of electron and made use of the definition of contrast, a simple model for contrast calculation is proposed. The comparison between the calculations and the experiment results reveals that the agreement is good. The calculations for different exposure conditions show that the contrast will decrease with the increase in incident energy, and that the contrast will increase with the increase in resist thickness.

关 键 词：电子束 反差 MONTE CARLO模拟 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]