γ-Si_3N_4在高压下的电子结构和物理性质研究  

Electronic structure and physical properties of γ-Si_3N_4 under high pressure

作　　者：丁迎春[1] 徐明[1] 潘洪哲[1] 沈益斌[1] 祝文军[1] 贺红亮[2] 

机构地区：[1]四川师范大学物理与电子工程学院和固体物理研究所低维结构物理实验室,成都610068 [2]中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理重点实验室,绵阳621900

出　　处：《物理学报》2007年第1期117-122,共6页Acta Physica Sinica

基　　金：四川省教育厅重点基金(批准号:2005A092);四川师范大学重点研究经费(批准号:037003)资助的课题~~

摘　　要：采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA-PW91),计算了不同压强下γ-Si3N4的电子结构、光学性质和力学性质.基于计算结果,分析讨论了γ-Si3N4各物理参数随外压力的变化规律.计算表明,γ-Si3N4是一种适合于在高压条件下工作的材料.The pressure-dependent electronic structure and physical properties of γ- Si3N4 have been calculated by means of plane wave pseudo-potential method （PWP） using GGA-PW91. Based on the calculations, we analyzed the influence of pressure on the optical and mechanical properties γ-Si3N4, which indicates that γ-Si3N4 is quite suitable for applications under high pressure.

关 键 词：γ-Si3N4 光学性质 力学性质 高压 

分 类 号：O521.2[理学—高压高温物理]