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机构地区:[1]华中科技大学电子科学与技术系,湖北武汉430074
出 处:《微电子学与计算机》2007年第1期79-81,共3页Microelectronics & Computer
摘 要:在分析运算放大器一般输入级电路结构的基础上,文章设计出一种新颖的电路结构以实现运算放大器的超宽共模输入范围,摆脱了电源电压对信号共模电平范围的限制,解决了一般运放输入级中容易出现的输入管饱和问题。电路采用1.6μm的P衬N阱BiCMOS工艺制程,HSPICE仿真结果表明:电源电压为2.7V时,运算放大器的共模电平VCM输入范围为1V~7V,带宽为3MHz(相位裕度72.5),开环增益为62.5dB。On the base of. analyzing the general input stage structure of the operational amplifier, this paper designed a novel kind of circuit structure with ultra-width common-mode range of bipolar input stages, making common-mode range not limited by supply voltage, settling the problems of input transistor saturation appeared in general input stages. In 1.6μm N-well BiCMOS process, simulation in HSPICE showed that, the design realized a CM range VCM reaching+7 V at a single supply voltage 2.7V, while the supply power was 2.7V. The design of the operational amplifier resulted in the performances of 3MHz bandwidth (at 72.5 of phase margin),open loop gain 62.5 dS.
关 键 词:超宽输入范围 共模电平 输入管饱和 BICMOS工艺
分 类 号:TN433[电子电信—微电子学与固体电子学]
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