Ce:KNSBN晶体中的光扇效应及其图像存储  

作　　者：李盼来[1] 郭庆林[1] 王志军[1] 庞立斌[1] 梁宝来[1] 

机构地区：[1]河北大学物理科学与技术学院,保定071002

出　　处：《科学通报》2007年第1期23-26,共4页Chinese Science Bulletin

基　　金：河北省自然科学基金项目(批准号:F20060010023)资助

摘　　要：采用非同时读出条件下的两波耦合实验装置,以单束光入射Ce:KNSBN光折变晶体,研究了入射光强度和光入射角对Ce:KNSBN晶体中光扇效应的影响.研究发现,光扇效应存在明显的入射光强度阈值特性,入射光强度阈值为38.2mW/cm2;对应相同的入射光强度,光入射角θ为15°时稳态光扇强度Ifsat最强.研究了入射光调制对晶体中光扇噪声及体全息存储的影响,入射光调制抑制了光扇噪声对Ce:KNSBN晶体两波耦合及体全息存储的影响,使得再现图像质量得到了明显改善.

关 键 词：CE:KNSBN晶体 光扇效应 阈值特性 图像存储 

分 类 号：O734[理学—晶体学]