基于ZnO活性层薄膜晶体管的研究进展  

Advances in Research on Thin Film Transistor Using ZnO as the Active Channel Layer

作　　者：许洪华[1] 陈跃宁[1] 袁广才[2] 

机构地区：[1]辽宁大学物理系,辽宁沈阳110036 [2]北京交通大学光电子技术所,北京100044

出　　处：《沈阳师范大学学报（自然科学版）》2007年第1期34-36,共3页Journal of Shenyang Normal University:Natural Science Edition

摘　　要：ZnO作为活性层制作薄膜晶体管(thin film transistor,简称TFT),因性能改进显著而成为新兴的研究热点.就TFT发展历史、器件典型结构以及在AMLCD中的应用、国外ZnO TFT器件的进展状况进行综述,并展望了器件的前景.Thin film transistor（TFT） using ZnO as the active channel layer is of great importance because of several demonstrations of ZnO TFT achieving much good performance. This paper describes the historical background, the typical structure and actual application in AMLCDs of thin film transistor. The prospect of ZnO based TFT is reviewed as well.

关 键 词：薄膜晶体管 有源矩阵液晶显示(AMLCD) ZNO 活性层 

分 类 号：O484.4[理学—固体物理]