同成份掺杂铌酸锂晶体中紫外-红光非挥发全息存储的研究  

作　　者：付博[1,2] 张国权[1,2] 刘祥明[1,2] 徐庆君[1,2] 申岩[1,2] 许京军[1,2] 

机构地区：[1]南开大学物理科学学院光子学中心,天津300071 [2]南开大学泰达学院应用物理学院,天津300457

出　　处：《量子电子学报》2007年第1期126-126,共1页Chinese Journal of Quantum Electronics

摘　　要：我们研究了单掺镁、锌、铟的同成份铌酸锂晶体的紫外-红光双色非挥发全息存储性质。通过对不同掺杂浓度铌酸锂晶体的紫外-红光双色全息存储衍射效率、灵敏度、响应时间、动态范围等参数的测量，我们发现掺杂浓度超过抗光损伤阈值的同成份铌酸锂晶体在引入紫外光辐照后，响应时间明显缩短，双色记录灵敏度显著增加，而且存储机制不同于低于阈值浓度的晶体，均可以实现非挥发全息存储；并且，对于不同的掺杂离子，光折变光栅的形成机制也有所不同。

关 键 词：掺杂铌酸锂晶体 紫外光辐照 全息存储 挥发 红光 成份 光损伤阈值 掺杂浓度 

分 类 号：TN383.1[电子电信—物理电子学]