基于铱配合物材料的高效高稳定性有机发光二极管  

High-efficiency and high-stability phosphorescent OLED based on new Ir complex

作　　者：王军 魏孝强[1] 饶海波[1] 成建波[1] 蒋亚东[1] 

机构地区：[1]电子科技大学光电信息学院

出　　处：《物理学报》2007年第2期1156-1161,共6页Acta Physica Sinica

基　　金：电子科技大学-浙江阳光集团联合OLED器件研发项目(批准号:W050317)资助的课题~~

摘　　要：使用基于重金属Ir的新磷光材料(tpbi)2Ir(acac),制备了多层结构有机发光二极管器件:ITO/CuPc(40nm)/α-NPD(45nm)/CBP:(tpbi)2Ir(acac)(3%,30nm)/BCP(20nm)/Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm).测试了材料的寿命、光谱吸收性质和器件的I-V-L特性.器件在低电压下电流符合热发射注入模型,高电压下I-V呈线形关系.不同偏压下器件发光光谱稳定,多峰拟合结果表明器件光谱由α-NPD发光峰(450nm),(tpbi)2Ir(acac)主发光峰(518nm)和肩峰(543nm)构成.驱动电压为6V时,器件效率达到最大12.1lm/W,此时亮度为136cd/m2,器件亮度最大为13500cd/m2,此时效率为0.584lm/W.Multi-layer phosphorescent OLED with （tpbi）2 Ir（acac） was fabricated which has the structure： ITO/CuPc （40 nm）/α-NPD （45 nm）/CBP： （tpbi）2Ir（acac） （3%, 30 nm）/BCP （20 nm）/Akb （20 nm）/LiF （1 nm）/Al （100 nm）. Absorption spectra, phosphorescence lifetime of Ir complex, and I-V-L characteristic of the device was tested. The current of the device under low applied voltage conforms to the Richaardon-Scbetty emission, and shows linear relationship under high voltage. Gauss peak fit shows the OLED spectra to be composed of α-NPD peak（450 nm）, （tpbi）2Ir（acac） main peak（518 nm） and shoulder peak （543 nm）. Maximum power efficiency of PHOLED is 12.1 ]m/W （at 6V） with luminance 136 cd/m^2, and the maximum luminance is 13500 cd/m^2 with power efficiency 0.584 lm/W.

关 键 词：有机发光二极管 磷光 效率 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]