Sol-gel法制备Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)铁电薄膜及其性能  

作　　者：郭冬云[1] 李美亚[1] 裴玲[1] 于本方[1] 吴庚柱[1] 赵兴中[1] 王耘波[2] 于军[2] 

机构地区：[1]武汉大学物理科学与技术学院,武汉430072 [2]华中科技大学电子科学与技术系,武汉430074

出　　处：《中国科学（E辑）》2007年第1期7-11,共5页Science in China(Series E)

基　　金：湖北省自然科学基金资助项目(批准号:2003ABA061;2004ABA082)

摘　　要：采用Sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)薄膜.制备的BLT薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构,而且表面平整致密.对700℃退火处理的BLT薄膜进行了铁电性能、疲劳特性和漏电流测试:在测试电压为10V时,剩余极化值2Pr大约是18.6μC/cm2,矫顽电压2Vc大约为4.1V;经过1×1010次极化反转后,剩余极化值下降了大约10%;漏电流测试显示制备的BLT薄膜具有良好的绝缘性能.室温下,在测试频率1kHz时,薄膜的介电常数为176,介电损耗为0.046.

关 键 词：Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜 SOL-GEL法 铁电性能 疲劳特性 漏电流 

分 类 号：TB383.2[一般工业技术—材料科学与工程]