金属氧化物半导体气敏特性的研究──（Ⅱ）理论研究（续一）  

THE STUDY OF GAS SENSING CHARATERISTIC OF METAL OXIDE SEMICONDUCTORS (Ⅱ)THEORETIC RESEARCH

作　　者：李建明[1] 吕红浪[1] 刘文利[1] 裘南畹[1] 

机构地区：[1]山东工业大学数理系

出　　处：《山东工业大学学报》1996年第4期425-431,共7页

基　　金：山东省科委资助

摘　　要：本文介绍金属氧化物气敏特性研究的概况，以及我们最近完成的两个理论框架：①反应动力学理论；②扩散反应理论．This paper gives a brief account of our investigation in metal oxide gassensing characteristics,and presents the frames of two theories,i. e.,reaction dynamic theory and diffusion reactive theory.

关 键 词：扩散方程 金属氧化物 气敏特性 半导体 

分 类 号：TN304.21[电子电信—物理电子学]