金属氧化物半导体气敏特性的研究──（Ⅲ）实用化研究（续二，续完）  

ON GAS SENSING CHARATERISTIC OF METAL OXIDE SEMICONDUCTORS (Ⅲ)PRACTICAL RESEARCH

作　　者：吕红浪[1] 刘文利[1] 李建明[1] 裘南畹[1] 

机构地区：[1]山东工业大学数理系

出　　处：《山东工业大学学报》1996年第4期436-440,450,共6页

基　　金：山东省科委资助

摘　　要：本文从实验和理论上对用粉末溅射研制的ＳｎＯ２／ＣｅＯ２酒敏薄膜的性能与膜厚、温度、掺杂量等进行了研究，并根据研究的结果和有关理论对平面薄膜型酒敏传感器的工艺和结构进行了设计；介绍了所研制的器件的一些性能．The properties of powder sputtered SnO2/CeO2 gas sensing thin filmsfor alcohol are investigated in experimemt and theory, which are related to film thickness,temperature and dose et al. For these results above,the technology and structure of planethin film gas sensors for alcohol were designed, and some properties of these sensors areintroduced.

关 键 词：金属氧化物 半导体 气敏特性 

分 类 号：TN304.21[电子电信—物理电子学]