一种研究自旋翻转散射效应的新方法  

A new method for probing spin-flip scattering in ballistic nanosystems

作　　者：曾中明[1] 丰家峰[1] 王勇[1] 韩秀峰[1] 詹文山[1] 张晓光[2] 张泽[3] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室,北京100080 [2]美国橡树岭国家实验室纳米相材料,计算科学和数学研究中心 [3]北京工业大学,北京100022

出　　处：《物理》2007年第3期199-202,共4页Physics

基　　金：国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB93200);国家杰出青年基金(批准号:50325104;50528101);国家自然科学基金(批准号:10574156);中国科学院知识创新工程重大课题;王宽诚基金

摘　　要：金属中自旋翻转散射长度远长于电子平均自由程,近来关于自旋翻转散射效应的研究主要集中于扩散区域.文章作者提出了一种使用双势垒磁性隧道结来研究纳米尺度结构中弹道区域的自旋翻转散射效应的新方法.这种方法可以从磁电输运性质的测量,得出中间隔离层中的自旋翻转散射效应的温度和偏压关系,进一步可以得出诸如电子平均自由程和自旋翻转散射长度等自旋散射信息,以及中间层的态密度和量子阱信息.Because the spin - flip length is longer than the electron mean - free - path in a metal, past studies of spin- flip scattering were limited to the diffusive regime. We have developed a method that uses a magnetic double barrier tunnel junction to study spin flip scattering in nanometer sized spacer layers near the ballistic limit. We extract the voltage and temperature dependence of the spin - flip conductance Gs in the spacer layer from magnetoresistance measurements. In addition to spin scattering information, and the spin - flip length （1.0-2.6μm） at 4.2K, this technique also such as the mean - free - path （70nm） yields information on the density of states and quantum well resonance in the spacer layer.

关 键 词：自旋翻转散射 双势垒磁性隧道结 自旋极化输运 电子平均自由程 量子阱 

分 类 号：O482.5[理学—固体物理]