一种低压I_(PTAT)~2曲率校正CMOS带隙基准源的设计  

A Low Voltage Curvature Corrected CMOS Bandgap Reference

作　　者：肖明[1] 吴玉广[1] 何凤琴[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子所,陕西西安710071

出　　处：《微电子学与计算机》2007年第3期85-87,共3页Microelectronics & Computer

基　　金：军事电子预研基金项目(51408010205DZ0165)

摘　　要：基于Chrt 0.35μmCMOS工艺,采用一级温度补偿电压作为温度曲率校正电压,设计了一个类似IP2TAT电流产生电路,获得了一个电路结构简单,性能更佳的带隙基准源。经过Hspice仿真,仿真结果表明电路可以在-10-110范围内,平均温度系数约6ppm/℃,最低工作电压为1V左右,获得了一个高性能的带隙基准电压源。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。The design of curvature correction temperature compensation bandgap reference circuit use the first order temperature compensation bandgap reference voltage as a curvature voltage, and get a better circuit though designing a circuit can produce a I^2 PTAT current than usually use PTAP voltage as a curvature voltage, which is fabricated with 0.35μm CMOS technology. The bandgap reference has a average temperature coefficient of 6ppm/℃, and a power supply rejection ratio of-90dB with supply voltage about 1V.

关 键 词：带隙基准源 曲率校正 温度系数 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]