一种4ppm/℃曲率补偿CMOS带隙基准源  

A Curvature Compensated CMOS Bandgap Reference with 4 ppm/℃

作　　者：郑儒富[1] 俞永康[1] 

机构地区：[1]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054

出　　处：《微电子学》2007年第1期101-104,共4页Microelectronics

摘　　要：提出了一种采用新型曲率补偿技术的CMOS带隙基准源。该电路利用BJT电流和电压的指数关系,得到了高阶曲率补偿的基准电压。在-55^+125℃温度范围内,通过HSPICE仿真验证,基准电压的温度系数不到4ppm/℃。在此基础上,实现了可调节的基准电压输出。A novel curvature compensated CMOS bandgap reference is proposed, which could generate a higherorder curvature compensated reference voltage with the exponential feature of BJT. Simulated in HSPICE, the bandgap reference source exhibits a temperature coefficient lower than 4-ppm/℃ in the temperature range from -55 ℃ to 125 ℃, and two adjustable reference voltages are also obtained.

关 键 词：CMOS 温度补偿 带隙基准源 温度系数 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]