半导体可饱和吸收镜实现超短高功率脉冲激光研究进展  

Development of Semiconductor Saturable Absorption Mirror Used for High Average Output Power Ultrashort Pulses Laser

作　　者：舒强[1] 舒永春[1] 刘如彬[1] 陈琳[1] 姚江宏[1] 许京军[1] 王占国[1] 

机构地区：[1]南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津300457

出　　处：《激光与红外》2007年第3期197-199,210,共4页Laser & Infrared

基　　金：国家自然科学基金(60476042);天津市应用基础研究计划06/FJZJC01100资助项目

摘　　要：介绍了半导体可饱和吸收镜(SESAM)的基本结构及使用半导体可饱和吸收镜被动锁模固态激光器的基本原理。综述了利用半导体可饱和吸收镜被动锁模薄片式固态激光器及光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器,获得高平均输出功率超短脉冲的最新进展,并指出量子点半导体可饱和吸收镜的使用将加速超短高功率脉冲的发展。The basic structure and the fundamental principle of semiconductor saturable absorption mirrors （SESAM） that are used for passive mode-locking solid-state lasers are introduced. By using these mode-locking devices on novel thin-disk solid state lasers and optically pumped vertical-external-cavity surface-emitting semiconductor lasers （OPSVECSEL） to obtain high average output power ultrashort pulses are stated, and it is emphasized that the study of high average output power ultrashort pulses laser can be accelerated greatly by using the quantum dot SESAM.

关 键 词：激光技术 半导体可饱和吸收镜 被动锁模 薄片式固态激光器 光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器 

分 类 号：TN248.1[电子电信—物理电子学]