硅晶体管中加氟可提高中子速度  

作　　者：杨英惠（摘译） 

出　　处：《现代材料动态》2007年第3期13-14,共2页Information of Advanced Materials

摘　　要：英国南安普敦大学研究人员发现，在制造三层晶体管时向硅中加氟可使其中电子流动速度加快。研究人员利用现有硅制造工艺向硅器件加氟以图提高电子速度。

关 键 词：硅晶体管 流动速度 加氟 英国南安普敦大学 中子 研究人员 电子速度 制造工艺 

分 类 号：TN325.2[电子电信—物理电子学]