采用PMMA LB膜作为电子束抗蚀层进行100mm高分辨率铬掩模版的制作研究  

作　　者：于向东 彭力 张仲毅 赵丽新 张海平 刘永宽 顾宁[2] 钱峰[2] 陆祖宏[2] 韦钰[2] 

机构地区：[1]中国华晶电子集团公司掩膜制造中心,无锡214061 [2]东南大学分子与生物分子电子学国家教委开放实验室,南京210096

出　　处：《微电子技术》1996年第3期49-52,共4页Microelectronic Technology

摘　　要：在发展流动亚相法制备高粘度聚合物分子单层膜装置的基础上，研究制备大面积、高质量的PMMALB膜抗蚀层，并用于100mmCr掩模版的电子束光刻制造技术中，采用现行标准的湿法工艺获得了分辨率为0．5μm，特征线宽为0．3μm的高分辨率100mm铬掩模版。为深亚微米掩模版制造的研究探索了一条新路。

关 键 词：铬掩模版制造 光刻 电子束 PMMALB膜 IC 

分 类 号：TN405.7[电子电信—微电子学与固体电子学]