高密度CMOS电路反常规P阱的掺杂技术  

作　　者：张晓雪 

机构地区：[1]合肥晶体管厂,合肥230041

出　　处：《微电子技术》1996年第6期29-30,共2页Microelectronic Technology

关 键 词：CMOS电路 反常规P阱 掺杂 IC 

分 类 号：TN432.053[电子电信—微电子学与固体电子学]