面内场对3类硬磁畴畴壁中VBLs稳定性的影响  

Influence of In-plane Field on the Stability of Three Kinds of Hard Domains

作　　者：李秀玲[1] 王丽娜[1] 郭革新[1] 李静[1] 

机构地区：[1]河北师范大学物理科学与信息工程学院,河北石家庄050016

出　　处：《河北师范大学学报（自然科学版）》2007年第2期188-190,199,共4页Journal of Hebei Normal University：Natural Science

基　　金：河北省自然科学基金(100147)

摘　　要：实验研究了直流偏场(Hb)下,面内场(Hip)对液相外延石榴石磁泡薄膜的硬磁畴壁中垂直布洛赫线(VBL)稳定性的影响.研究发现,室温时3类硬磁畴壁中VBLs的解体都存在一个临界面内场范围[Hi(p1),Hi(p2)],其中Hi(p1)是硬磁畴壁中VBL开始丢失时面内场,Hi(p2)是VBL完全丢失时的面内场Hip及Hip*为剩余率降至0时的Hip值.在相同的Hb下(Hi(p1))IID<(H(ip1))ID<(Hi(p1))OHB;(Hi(p2))IID=(Hi(p2))ID=(Hi(p2))OHB.在不同的Hb下,临界面内场Hi(p1)和Hip*以及范围[Hi(p1),Hi*p]都随着Hb的增加而减小或变窄.The influence of in-plane field （Hip（1）） on stability of vertical Bloch lines （VBLs） in the walls of the hard domains at various bias fields （Hb） was studied. There exists some special in-plane fields, Hip（1）, Hip＊ and Hip（2） ,of the VBLs annihilation in the walls of the hard domains. At the same Hb, （Hip（1）） ID 〈 Hip（1）ID 〈（Hip（1））OHB ;Hip（2）ID= （Hip（2）） = Hip（2））OHB. Along with the increasing of Hb,the in-plane field range [Hip（1）,Hip＊] becomes narrow,and the in-plane field Hip（1）） ,Hip＊ and Hip（2）] all decrease.

关 键 词：垂直布洛赫线 直流偏场 面内场 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]