我国相变存储器的研究现状与发展前景  

Current Situation and Developing Trend on Phase-Change Memory in China

作　　者：刘波[1] 宋志棠[1] 封松林[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室,上海200050

出　　处：《微纳电子技术》2007年第2期55-61,共7页Micronanoelectronic Technology

基　　金：国家重点基础研究发展计划(2006CB302700);国家863计划(2006AA03Z360);中国科学院(Y2005027);上海市科委资助项目(05JC14076;0552nm043;AM0517;06QA14060;06XD14025;0652nm003;06DZ22017)

摘　　要：介绍了我国相变存储器的研究现状及面临的关键问题。提出了我国相变存储器的发展思路和目标:加强新型材料和器件结构等方面的基础研究,形成创新性的成果,同时加强专利战略布局;加强与国内半导体公司的合作,共同推进相变存储器的产业化进程;探索相变存储器的新应用领域,寻求在通信、金融、交通、医疗、身份证等领域的应用。The current situation of phase-change memory and its key issues were reviewed. The developing strategy and destination for Chinese phase-change memory was proposed： strengthening the foundation research on new materials and device structure, creating more fruits and patents; enhancing the cooperation with the semiconductor units in China; co-boosting the industral progress of phase-change memory; exploring new application fields, such as communications, finance, traffic, medical treatment, and identification card, may become the major research objects for phase-change memory application in China.

关 键 词：相变存储器 研究现状 发展前景 

分 类 号：TP601[自动化与计算机技术—控制理论与控制工程] TP334.5[自动化与计算机技术—控制科学与工程]