内调制光电探测器光生电压的模型分析  

Simulation and Experimental Analysis of Photovoltaic Voltage for Intramodulated Photodetector

作　　者：吴凡[1] 黄启俊[1] 常胜[1] 王豪[1] 孙平[1] 梁韶华[1] 

机构地区：[1]武汉大学物理科学与技术学院,湖北武汉430072

出　　处：《武汉大学学报（理学版）》2007年第1期89-92,共4页Journal of Wuhan University:Natural Science Edition

基　　金：国家创新基金项目(00C26214210855);国家自然科学基金资助项目(69607006)

摘　　要：针对栅压对内调制光电探测器耦合区的影响,以及横向发生的抽取效应对受光结的影响,从描述探测器的泊松方程、电流方程和连续性方程出发,通过计算输出电流Id,得出了内调制光电探测器受光结光生电压Vop与栅压Vg的函数关系式,并依此建立了模型,该模型与实验结果基本吻合.由于该模型采用了电路形式,可以用PSPICE等软件进行模拟,这为研究内调制光电探测器的内部性质提供了理论基础.In the article, deduced from the Possion Equation, current equations and continuity equations,the function between photovoltaic voltage Vop and gate voltage Vg is obtained. It is fairly good according to experimental results. Through analyzing the effects of the gate voltage and transverse extraction on the illuminated PN junction,a model of intramodulated photodetector is built.

关 键 词：内调制 光生电压 抽取效应 模拟 

分 类 号：O438[机械工程—光学工程] TN364[理学—光学]