1.9GHz高线性度上混频器设计  

A 1.9 GHz High Linearity CMOS Up-mixer

作　　者：席占国[1] 秦亚杰[1] 苏彦锋 洪志良[1] 

机构地区：[1]复旦大学专用集成电路国家重点实验室,上海200433 [2]上海士康射频技术有限公司,上海200433

出　　处：《固体电子学研究与进展》2007年第1期49-53,68,共6页Research & Progress of SSE

摘　　要：介绍了采用0．35μmCMOS工艺实现的单边带上变频混频电路。该混频电路可用于低中频直接混频的PCS1900（1850～1910MHz）发射器系统中。电路采用了multi—tanh线性化技术．可以得到较高的线性度。在单电源＋3．3V下，上混频器电流约为6mA。从上混频电路输出级测得ⅡP3约8dBm，IP1dB压缩点约为0dBm。This paper presents a single side band up-mixer fabricated by SMIC 0. 35 μm CMOS technology. It can be used in low-IF direct conversion PCS1900 （1850- 1910 MHz） transceiver system. The mixer is based on multi-tanh linearization technique and achieves high linearity. It operates at a single power supply of 3.3 V and consumes less than 6 mA. The upmixer with the output buffer achieves an ⅡP3 of 8 dBm and an input P1dB gain compression point of 0 dBm.

关 键 词：射频集成电路 混频器 上变频器 高线性度 发射器 

分 类 号：TN43[电子电信—微电子学与固体电子学]