铂合金靶及铂合金膜  

出　　处：《有色金属与稀土应用》2007年第1期32-35,共4页Non-Ferrous Metals & Rareearth

摘　　要：近年来，一直在谋求半导体存储器的高密度化，作为该可高密度化的半导体存储器，分极反转型不挥发存储器（FeRAM）或DRAM引人注目。这些半导体存储器都具有强电介质电容器，该强电介质电容器都具有用上部电极及下部电极夹持由PZT[Pb（ZrxTi1-x）O3]或BaSrTi03等构成的强电介质膜的构造。所述上部电极及下部电极，通常由通过溅射等形成的铂膜构成，在通过夹持强电介质膜形成由铂膜构成的上部电极及下部电极后，进行最终的热处理。

关 键 词：铂膜 合金膜 合金靶 半导体存储器 介质电容器 不挥发存储器 高密度化 电介质膜 

分 类 号：TQ153.2[化学工程—电化学工业]