稳态层片共晶长生模型——Ⅰ.理论分析  

作　　者：姚向东[1] 黄韬[2] 周尧和 胡壮麒[1] 

机构地区：[1]中国科学院金属研究所,沈阳110015 [2]西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072

出　　处：《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1996年第6期679-684,共6页

基　　金：国家自然科学基金;国家教育委员会优秀年轻教师奖励基金

摘　　要：修正了JH经典模型关于平界面生长假设,建立新的层片共晶生长模型。应用严格的界面曲率数学公式,数值计算界面过冷度普适性方程,获得正确的共晶生长界面形态。并计算了稳态相间距选择极限,表明层片共晶生长存在稳态间距选择范围,随生长速度增大,选择范围越来越尖锐。最小相间距λ_m和JH及Trivedi模型结果一致,而最大相间距λ_M则不遵循上述经典模型。

关 键 词：共晶生长 界面过冷度方程 晶体生长 

分 类 号：O781[理学—晶体学]