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机构地区:[1]中国科学技术大学近代物理系,安徽合肥230026
出 处:《中国科学技术大学学报》2007年第3期260-263,267,共5页JUSTC
摘 要:利用蒙特卡罗方法,模拟99mTc 140 keV γ射线在圆盘状CsI(Tl)晶体中的闪烁过程及不同厚度不同包装下闪烁光的空间分布,得出点光源模型对于晶体出光平面上闪烁光强分布是适用的结果.模拟表明,CsI(Tl)与铝(Al)之间界面为粗糙时要比光滑时位置分辨更好;闪烁中心离出光面越近,位置分布越窄;晶体厚度为7 mm时光输出最大,光输出半高宽约为7.3 mm.The scintillation of CsI(Tl) with the shape of a thin disk while 99mTc 140 keV γ ray hit into the crystal and the position distribution of output scintillation photons on different thickness and package of CsI(Tl) were analysed employing the Monte Carlo method. The results show that the model of point light source is suitable for the distribution of scintillation photons of CsI (Tl). Furthermore, the position resolution of photons for rough interface between CsI(Tl) and Al is much better than those for polished interface. And the nearer the scintillation center from the light-out plane, the narrower the spatial resolution of optical photons. When the thickness of CsI(Tl) was 7 mm, the maximum of output photons was obtained, with the FWHM (full width at half maximum) of photon output distribution being about 7.3 mm
关 键 词:蒙特卡罗模拟 GEANT4 CsI(Tl) 闪烁成像
分 类 号:TL812[核科学技术—核技术及应用] O734[理学—晶体学]
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