用原位光发射谱研究电子增强热丝CVD金刚石膜生长过程  

作　　者：崔景彪[1] 马玉蓉[1] 方容川[1] 

机构地区：[1]中国科学技术大学物理系,结构分析开放实验室合肥230026

出　　处：《中国科学（A辑）》1996年第11期1038-1043,共6页Science in China(Series A)

基　　金：国家"八六三"高技术发展计划;国家自然科学基金

摘　　要：利用光发射谱对电子增强热丝CVD金刚石薄膜的生长过程进行了原位检测,并实现空间分辨测量,系统地研究了衬底偏压、甲烷浓度、衬底温度等反应条件对原位光发射谱的影响,给出了有关反应基团空间分布及电子能量状态等对金刚石生长极其重要的信息,并同薄膜的生长进行了比较.结果表明甲烷浓度和衬底温度对金刚石膜生长的影响分别来自不同反应机制,提高原子氢的浓度,同时降低CH基团的浓度是生长优质金刚石膜所需的条件.

关 键 词：金刚石薄膜 生长过程 光发射谱 热丝CVD法 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理] TN304.18[理学—物理]