Li_8SiN_4-Li_3N-BN体系中立方BN转化行为的研究  

作　　者：马贤锋[1] 阎学伟[1] 周艳平[1] 崔硕景[1] 

机构地区：[1]中国科学院长春应用化学研究所,长春130022

出　　处：《中国科学（B辑）》1996年第5期427-432,共6页Science in China(Series B)

基　　金：国家自然科学基金资助项目

摘　　要：研究了高温高压下x·Li_8SiN_4-0.1(1-x)·Li_3N-0.9(1-x)·BN体系中立方氮化硼(cBN)的转化行为。Li_8SiN_4的存在可显著改善cBN晶体的发育,提高晶体质量。在4.2～5.5GPa,1340～1750℃范围内确定了x=4.8％时体系的cBN转化区,并对转化区内cBN转化率、平均生长速度、成核速度及破碎强度与转化温度和压力的关系进行了研究。

关 键 词：高温 高压 立方氮化硼 晶体发育 转化区 

分 类 号：TQ163[化学工程—高温制品工业] TQ126.29