真空蒸馏法从铟中脱除Cd、Tl的研究  

Removal of Cd and TI from Indium by Vacuum Distillation

作　　者：邓勇[1] 杨斌[1] 杜国山[1] 刘大春[1] 徐宝强[1] 

机构地区：[1]昆明理工大学真空冶金国家工程实验室,云南昆明650093

出　　处：《云南化工》2007年第1期37-39,43,共4页Yunnan Chemical Technology

摘　　要：介绍真空蒸馏法取代传统试剂法从铟中脱除镉和铊。通过实验研究了采用真空蒸馏的方法从铟中脱除铊的最佳工艺条件。实验表明,控制蒸馏温度950℃,恒温时间40m in,即可使残余物中铊的含量为0.0006%,铟的挥发率2.14%。Removal of Cd and TI from indium by vacuum distillation was introduced, and the optimal condition was chosen. Content of thallium in the residue could be lowered to 0. 0006%, whereas the evaporation rate of indium was 2. 14% when distillated at 950℃ for 40 min.

关 键 词：铟 真空蒸馏 提纯 

分 类 号：TF843.1[冶金工程—有色金属冶金] TF114