一种基于衬底驱动技术的亚1V CMOS混频器  

A Sub-1-V CMOS Mixer Based on Bulk-Driven Technique

作　　者：商科梁[1] 朱樟明[1] 杨银堂[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,陕西西安710071

出　　处：《微电子学》2007年第2期291-293,297,共4页Microelectronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60476046)

摘　　要：讨论了衬底驱动的工作原理。基于衬底驱动NMOS晶体管,对Gilbert混频器电路结构进行改进设计,实现了超低压混频器。基于TSMC 0.25μm CMOS工艺的BSIM3V3模型,采用Hspice,对混频器进行了仿真。结果显示,该混频器在0.8 V单电源电压下,仍可以对2.4 GHz的正弦信号进行混频,转换增益为-8.5 dB,三阶输入截止点的值为28.4 dB。The fundamental principle of bulk-driven MOSFET＇ s are discussed. Based on bulk-driven NMOS transistors, an improved ultra-low voltage mixer is designed and simulated using Hspice simulator and BSIM3V3 models based on TSMC＇s 0.25 μm CMOS process. Simulation results show that the mixer can operate properly at 2.4 GHz frequency with a single power supply of 0.8 V, and it achieves a conversion gain of -8. 5 dB with 3rd-order input intercept point （IIP3） at 28. 4 dB.

关 键 词：衬底驱动 超低压混频器 CMOS 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]