四针状纳米ZnO场发射性能及H_2热处理效应  

作　　者：陈红升[1] 齐俊杰[1] 张跃[1] 廖庆亮[1] 张晓梅[1] 黄运华[1] 

机构地区：[1]北京科技大学材料物理与化学系,北京100083

出　　处：《科学通报》2007年第7期763-765,共3页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家杰出青年科学基金(批准号:50325209);国家自然科学基金(批准号:50572005);国家自然科学基金国际合作与交流项目(批准号:50620120439)资助

摘　　要：通过热蒸发反应沉积的方法制备了大面积的四针状ZnO纳米结构材料.四针状纳米结构具有细小的尖端尺寸,为六方纤锌矿晶体结构.在不同极间距下测试了样品的场发射性能,其开启电场约为3.7V/μm,并利用Fowler-Nordheim方程对场发射特征进行了分析.进一步采用在H2气氛中退火的方法优化了四针状纳米ZnO材料的场发射性能,降低了开启电压.研究结果表明,四针状纳米ZnO体现出较低的开启电压和高的发射电流密度,是具有广泛应用前景的冷阴极场发射材料.

关 键 词：场发射 ZNO 热处理 纳米材料 

分 类 号：O614.241[理学—无机化学]