高频CB工艺与硅超高速集成运放  

High--Frequency CB Process and Very High--Speed Integrated Operational Amplifier

作　　者：王界平[1] 龙弟光[1] 王清平[1] 

机构地区：[1]电子工业部第二十四研究所,四川重庆630060

出　　处：《电子器件》1997年第1期24-27,共4页Chinese Journal of Electron Devices

摘　　要：本文介绍了硅超高速集成运算放大器的电路设计、版图设计和工艺研究情况.The design of circuit and layout, study of process for silicon very high--speed integrated operational amplifier are described in the peper.

关 键 词：高频 互补双极工艺 超高速集成 运算放大器 

分 类 号：TN722.77[电子电信—电路与系统]