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作 者:王波[1] 房昌水[1] 王圣来[1] 孙洵[1] 顾庆天[1] 许心光[1] 李义平[1] 刘冰[1] 牟晓明[1]
机构地区:[1]山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100
出 处:《人工晶体学报》2007年第2期247-252,共6页Journal of Synthetic Crystals
基 金:国家"863"惯性约束核聚变领域资助项目(No.59823003);山东优秀中青年奖励基金(03BS079)
摘 要:采用传统降温法,KDP晶体的生长速度一般在1~2mm/d,DKDP晶体的生长速度甚至更慢,并且晶体的恢复区域较大,利用率低;而采用快速生长法,晶体的生长速度可以提高到20~50mm/d,并且晶体的恢复区域小,利用率高。本文回顾了KDP/DKDP晶体生长的研究进展。并重点评述了KDP/DKDP晶体快速生长的研究进展,报道了近年来大尺寸、高质量KDP晶体的研究动态。By using the traditional temperature-reduction method, the growth rate of KDP crystal is 1-2mm/d, that of DKDP crystal is even lower, and the capping is large, only less volume of crystal can be used. By using the rapid-growth method, the growth rate of KDP/DKDP crystal can be increased to 20- 50mm/d,and the capping is little, more volume of crystal can be used. Here, we reviewed the new progresses of study on the growth of KDP/DKDP crystals, especially on the rapid growth method in the past years,and reported the new progresses of study on the large and high quality KDP/DKDP crystal.
关 键 词:KDP/DKDP晶体 惯性约束核聚变 溶液晶体生长 传统降温法 “点籽晶”快速生长法
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