高场下发光中心激发能级上电子的离化  

作　　者：娄志东[1,2,3] 徐春祥[1,2,3] 徐征[1,2,3] 于磊 徐叙[1,2,3] 

机构地区：[1]天津理工学院材料物理所 [2]北方交通大学物理系 [3]中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室

出　　处：《功能材料》1997年第2期133-136,共4页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金;天津市二十一世纪青年基金

摘　　要：讨论了稀土掺杂的硫化锌薄膜电致发光器件中被激发的发光中心的场致离化机理；根据弗朗兹，凯尔迪什效应估计了发光中心较高激发能级的深度。同时还考虑了碰撞和温度对发光中心离化的影响，计算并比较了场致离化、碰撞离化及热辅助离化的几率。结果发现。

关 键 词：激发 发光中心 场致离化 电致发光器件 

分 类 号：TN383.1[电子电信—物理电子学]