合金中析出相点阵参数的精确测定  

作　　者：陆金生[1] 卢翠芬[1] 

机构地区：[1]冶金部钢铁研究总院,北京100081

出　　处：《理化检验（物理分册）》1997年第4期29-30,共2页Physical Testing and Chemical Analysis(Part A:Physical Testing)

摘　　要：采用作者独创的沿(531)晶面切割的单晶硅作载体解决了微量样品难以测量的困难,并以混入多晶硅标准粉末物质校准制样厚度差异引起的误差,成功地测试了M_6C相的点阵参数,并根据该相点阵参数的变化证实了合金中的Si进入该相.

关 键 词：点阵参数 单晶硅载体 析出相 合金 

分 类 号：TG115.21[金属学及工艺—物理冶金]