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作 者:李华维[1] 羊亿[1] 黄岳文[1] 刘敏[1] 罗友良[1]
机构地区:[1]湖南师范大学物理与信息科学院,长沙410081
出 处:《太阳能学报》2007年第5期508-512,共5页Acta Energiae Solaris Sinica
基 金:教育部回国留学启动基金;湖南省教育厅青年项目(031B018)
摘 要:采用化学沉积法制备了多晶CdS薄膜;利用X射线衍射仪、原子力显微镜、透射光谱以及光电导测试等方法表征了CdS薄膜的晶体结构、光学特性和电学特性.结果表明:通过改变反应液中Cd2+离子浓度(0.002~0.008mol·L^-1)和提高沉积温度(80~90 ℃)来加快沉积速率,CdS薄膜晶相由六方相(H)向立方相(C)转变,且禁带宽度随Cd2+离子浓度增大逐渐变大;当Cd2+离子浓度从0.002mol·L^-1增加到0.005mol·L^-1时,薄膜呈六方相,浓度为0.006mol·L^-1时出现六方与立方两种晶相共存,而浓度为0.008mol·L^-1时薄膜转变为立方相.CdS薄膜表面形貌、光学特性、电学特性也随Cd2+离子浓度的增大而有规律的变化.The CdS films were fabricated by chemical bath deposition (CBD). XRD, AFM, UV/Vis etc. were used to characterize the microstructure, optical and electrical property of the CdS films. The results showed that: the CdS film realized the transition from hexagonal phase to cubic phase and the band-gap of CdS increased with the increasing of the cadmium ion concentration and the bath temperature, . The film appeared hexagonal phase(H) When the cadmium ion concentration increased from 0.002M to 0.005M, then it appeared cubic and hexagonal phase coexisted (H + C) at 0. 006M,and showed cubic phase(C) at 0.008M. At the same time, the surface morphology, optical and electrical properties of the CdS films changed regularly.
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