1100A/4500V逆导型IGCT组件的研究  

The Research of 1 100 A/4 500 V Reverse Conducting IGCT Assembly

作　　者：张明[1] 戴小平[1] 李继鲁 蒋谊[1] 陈芳林[1] 

机构地区：[1]株洲南车时代电气股份有限公司电力电子事业部,湖南株洲412001

出　　处：《变流技术与电力牵引》2007年第3期15-20,共6页Converter Technology & Electric Traction

摘　　要：概述了一种新型可关断电力半导体组件——逆导型IGCT的基本结构及相关技术。介绍了新研制成功的1100A/4500V逆导型IGCT的主要参数和测试波形。It is summarized the basic structure and related technology of a new type turnoff power semiconductor assembly： RC_ IGCT. Detailed introduction is given about the main parameters and the test waveforms of 1 100 A/4 500 V RC_IGCT assembly samples manufactured by us newly.

关 键 词：IGCT 逆导型 参数 测试波形 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]