从不纯样品的光谱中提取单一组分和结构的拉曼谱  

Study on Extracting Raman Spectra of Single Component and Structure from Impure Amorphous Spectra

作　　者：高敏 刘伟[1] 杨军涛[2] 张树霖[1] 郭辉[3] 张国义[1] 

机构地区：[1]北京大学物理学院,北京100871 [2]Renishaw公司 [3]北京大学信息科学技术学院,北京100871

出　　处：《光谱学与光谱分析》2007年第5期928-931,共4页Spectroscopy and Spectral Analysis

基　　金：国家自然科学基金重大基金项目(60290083);国家自然科学基金重点基金项目(50334040);国家自然科学基金面上基金项目(50272017);红外物理国家重点实验室开放课题基金项目资助;北京市纳米光电子重点实验室开放课题基金项目资助

摘　　要：X射线衍射谱和拉曼光谱均证实所用的SiC和GaN样品为不纯的非晶样品。通过新采取的减去经加权的“杂质”光谱的方法,从不纯的非晶样品的拉曼光谱中获取了纯非晶SiC和GaN的拉曼光谱,并由理论计算的声子态密度与减去“杂质”光谱的拉曼光谱很好相符,进一步证实减去“杂质”光谱的拉曼光谱确实是非晶拉曼光谱,从而表明新采用的扣除加权“杂质”光谱的方法是正确和具有广泛应用价值的。X-ray diffraction and Rarnan spectra show that the used amorphous SiC and GaN samples are impure. Adopting the new subtracting method with weighted impurity spectra, we obtained amorphous SiC and GaN Raman spectra involving only single component and structure. The good fitting between the calculated phonon density of states （PDOS） and the reduced Raman spectra confirms that the purified Raman spectra is really the amorphous Raman spectra, and the adopted spectral subtracting method with weighted impurity spectra is successful.

关 键 词：拉曼光谱 非晶GaN 非晶SiC 声子态密度 

分 类 号：O433.4[机械工程—光学工程] O657.3[理学—光学]