双生长室超高真空化学气相淀积系统的研制  

Development of double-chamber UHV/CVD system

作　　者：曾玉刚[1] 韩根全[1] 余金中[1] 成步文[1] 王启明[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《真空》2007年第3期19-23,共5页Vacuum

基　　金：接受国家自然科学基金重点项目(No.60336010);"973"项目(No.G2000036605)的资助

摘　　要：本文介绍了中国科学院半导体研究所的双生长室超高真空化学气相淀积系统的工作原理、技术参数、结构、性能及特点。该系统具有双生长室、引入准分子激光和多态源等主要优点,是IV族半导体材料生长和研究的强有力工具。The working principles, main specifications/construction and performance of the Double-chamber UHV/CVD system developed by ISCAS are introduced. Its main advantages include the double-chamber system for the growth of more semiconducting materials, excimer laser and multi-sources. It＇s a strong tool for the study on semiconductors especially the family IV.

关 键 词：双生长室 化学气相淀积 准分子激光器 

分 类 号：O484[理学—固体物理]